Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> TN0401L-18

TN0401L-18: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小127KB，共4页; 制造商TEMIC; 官网地址http://www.temic.de/

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TN0401L-18概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,

TN0401L-18规格参数

参数名称	属性值
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
其他特性	LOW THRESHOLD
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (ID)	0.64 A
最大漏源导通电阻	1.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	15 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	WIRE
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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TN0401L-18相似产品对比

	TN0401L-18	TN0201L-18	TN0201LTR	TN0201LTA	VN0300LTA	TN0401LTR	TN0401LTA	VN0300L-18
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.64A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
其他特性	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD	LOW THRESHOLD
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V	20 V	20 V	20 V	30 V	40 V	40 V	30 V
最大漏极电流 (ID)	0.64 A	0.64 A	0.64 A	0.64 A	0.64 A	0.64 A	0.64 A	0.64 A
最大漏源导通电阻	1.2 Ω	1.2 Ω	1.2 Ω	1.2 Ω	1.2 Ω	1.2 Ω	1.2 Ω	1.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	15 pF	15 pF	15 pF	15 pF	25 pF	15 pF	15 pF	25 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
厂商名称	-	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC	TEMIC

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