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SS1G

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小142KB,共2页
制造商Gulf Semiconductor
官网地址http://www.gulfsemi.com/
标准
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SS1G概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN

SS1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DO-214BA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
JEDEC-95代码DO-214BA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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SS1A THRU SS1M
SINTERED GLASS JUNCTION
SURFACE MOUNTED RECTIFIER
VOLTAGE:50 TO 1000V
CURRENT: 1.0A
FEATURE
For surface mounted application
High temperature metallurgic ally bonded
Sintered glass junction
Capability of meeting environmental standard of
MIL-S-19500
High temperature soldering guaranteed
450℃/10sec/at terminal/complete device
Submersible temperature of 265℃ for 10sec
GF1/ DO-214BA
MECHANICAL DATA
Terminal:Plated Terminal, solderable per
MIL-STD 202, method 208C
Case:Molded with UL-94 class V-0 recognized
Flame Retardant Epoxy over Glass
Polarity:color band denotes cathode end
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(single—phase, half
—wave,
60HZ, resistive or inductive load rating at 25℃, unless otherwise stated,
for capacitive load, derate current by 20%)
SYMBOL
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC blocking Voltage
Maximum Average Forward Rectified
Current
Peak Forward Surge Current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
Maximum Forward Voltage
at rated Forward current
Ta =25℃
Maximum full load reverse current
full cycle average at 75℃ ambient
Maximum DC Reverse Current
Ta =25℃
at rated DC blocking voltage
Ta =125℃
Typical Junction Capacitance
Typical Thermal Resistance
(Note 1)
(Note 2)
Vrrm
Vrms
Vdc
If(av)
Ifsm
Vf
Ir(av)
Ir
Cj
R(ja)
Tst, Tj
1.1
30.0
5.0
50.0
15.0
80.0
-65 to +175
SS
1A
50
35
50
SS
1B
100
70
100
SS
1D
200
140
200
SS
1G
400
280
400
1.0
30.0
1.2
SS
1J
600
420
600
SS
1K
800
560
800
SS
1M
1000
700
1000
units
V
V
V
A
A
V
μA
μA
μA
pF
℃/W
Operating and Storage Temperature Range
Note:
Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0Vdc
Thermal Resistance from Junction to Ambient 6.0mm
2
copper pad to each terminal
Rev.A4
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SS1A THRU SS1M
www.gulfsemi.com

SS1G相似产品对比

SS1G SS1B SS1D
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214BA, PLASTIC, GF1, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 DO-214BA DO-214BA DO-214BA
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
针数 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N N
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V 1.1 V
JEDEC-95代码 DO-214BA DO-214BA DO-214BA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
湿度敏感等级 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 30 A 30 A 30 A
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压 800 V 600 V 200 V
表面贴装 YES YES YES
端子形式 C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
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