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AS6WA5128-55BI

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, CSP, FBGA-48/36
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文件大小162KB,共9页
制造商ALSC [Alliance Semiconductor Corporation]
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AS6WA5128-55BI概述

Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, CSP, FBGA-48/36

AS6WA5128-55BI规格参数

参数名称属性值
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数36
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B36
长度11 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度7 mm
Base Number Matches1

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September 2001
®
AS6WA5128
3.0V to 3.6V 512K × 8 Intelliwatt™ low-power CMOS SRAM
Features
• AS6WA5128
• Intelliwatt™ active power circuitry
• Industrial and commercial temperature ranges available
• Organization: 524,288 words × 8 bits
• 3.0V to 3.6V at 55 ns
• Low power consumption: ACTIVE
- 144 mW at 3.6V and 55 ns
• 1.5V data retention
• Equal access and cycle times
• Easy memory expansion with CS, OE inputs
• Smallest footprint packages
• ESD protection
2000 volts
• Latch-up current
200 mA
- 36(48)-ball FBGA
• Low power consumption: STANDBY
- 72 µW max at 3.6V
Logic block diagram
V
CC
GND
Input buffer
36(48)-CSP/BGA Package
(shading indicates no ball)
1
A
A
0
I/O
5
I/O
6
V
SS
V
CC
I/O
7
I/O
8
A
9
B
C
D
I/O1
2
A
1
A
2
3
NC
WE
NC
4
A
3
A
4
A
5
5
A
6
A
7
6
A
8
I/O
1
I/O
2
V
CC
V
SS
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
Row decoder
Sense amp
512K
×
8
Array
(4,194,304)
I/O8
E
F
G
H
Column decoder
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
Control
circuit
WE
OE
CS
A
18
OE
A
10
CS
A
11
A
17
A
16
A
12
A
15
A
13
I/O
3
I/O
4
A
14
Selection guide
V
CC
Range
Product
AS6WA5128
Min
(V)
3.0
Typ
2
(V)
3.3
Max
(V)
3.6
Speed
(ns)
55
Power Dissipation
Standby (I
SB1
)
Operating (I
CC
)
Max (mA)
Max (
µ
A)
2
20
9/21/01; v.1.2
Alliance Semiconductor
P. 1 of 9
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AS6WA5128-55BI相似产品对比

AS6WA5128-55BI AS6WA5128-55BC
描述 Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, CSP, FBGA-48/36 Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, CSP, FBGA-48/36
零件包装代码 BGA BGA
包装说明 TFBGA, TFBGA,
针数 36 36
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 55 ns 55 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B36 R-PBGA-B36
长度 11 mm 11 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 36 36
字数 524288 words 524288 words
字数代码 512000 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C
组织 512KX8 512KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA TFBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM
宽度 7 mm 7 mm

 
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