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BT151B650RT/R

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM)
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小261KB,共5页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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BT151B650RT/R概述

Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM)

BT151B650RT/R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
标称电路换相断开时间70 µs
关态电压最小值的临界上升速率50 V/us
最大直流栅极触发电流15 mA
最大直流栅极触发电压1.5 V
最大维持电流20 mA
JESD-609代码e0
最大漏电流0.5 mA
通态非重复峰值电流100 A
最大通态电压1.8 V
最大通态电流7500 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
断态重复峰值电压650 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型SCR
Base Number Matches1

BT151B650RT/R相似产品对比

BT151B650RT/R BT151B500RT/R BT151B800RT/R
描述 Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 650V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 500V V(DRM) Silicon Controlled Rectifier, 7500mA I(T), 800V V(DRM)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
Is Samacsys N N N
标称电路换相断开时间 70 µs 70 µs 70 µs
关态电压最小值的临界上升速率 50 V/us 50 V/us 50 V/us
最大直流栅极触发电流 15 mA 15 mA 15 mA
最大直流栅极触发电压 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大维持电流 20 mA 20 mA 20 mA
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大漏电流 0.5 mA 0.5 mA 0.5 mA
通态非重复峰值电流 100 A 100 A 100 A
最大通态电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V
最大通态电流 7500 A 7500 A 7500 A
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
断态重复峰值电压 650 V 500 V 800 V
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
触发设备类型 SCR SCR SCR
Base Number Matches 1 1 1

 
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