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PHB21N06T

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共8页
制造商Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.)
官网地址https://www.nxp.com/
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PHB21N06T概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

PHB21N06T规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)21 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)69 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1
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