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MRF10005

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CASE 336E-02, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小118KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF10005概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CASE 336E-02, 2 PIN

MRF10005规格参数

参数名称属性值
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性WITH EMITTER BALLASTING RESISTOR
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)1.25 A
基于收集器的最大容量10 pF
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)25 W
最小功率增益 (Gp)8.5 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MRF10005/D
The RF Line
Microwave Power Transistor
. . . designed for CW and long pulsed common base amplifier applications,
such as JTIDS and Mode S, in the 0.96 to 1.215 GHz frequency range at high
overall duty cycles.
Guaranteed Performance @ 1.215 GHz, 28 Vdc
Output Power = 5.0 Watts CW
Minimum Gain = 8.5 dB, 10.3 dB (Typ)
RF Performance Curves given for 28 Vdc and 36 Vdc Operation
100% Tested for Load Mismatch at All Phase Angles with 10:1 VSWR
Hermetically Sealed Industry Standard Package
Silicon Nitride Passivated
Gold Metallized, Emitter Ballasted for Long Life and Resistance to Metal
Migration
Internal Input Matching for Broadband Operation
Circuit board photomaster available upon request by contacting
RF Tactical Marketing in Phoenix, AZ.
MRF10005
5.0 W, 960–1215 MHz
MICROWAVE POWER
TRANSISTOR
NPN SILICON
CASE 336E–02, STYLE 1
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous (1)
Total Device Dissipation @ T
A
= 25°C (1)
Derate above 25°C
Storage Temperature Range
Junction Temperature
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
stg
T
J
Value
55
55
3.5
1.25
25
143
–65 to +200
200
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mAdc
Watt
mW/°C
°C
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Case (2)
Symbol
R
θJC
Max
7.0
Unit
°C/W
NOTES:
1. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies only when the devices are operated as RF amplifiers.
2. Thermal Resistance is determined under specified RF operating conditions by infrared measurement techniques.
REV 6
©
MOTOROLA RF DEVICE DATA
Motorola, Inc. 1994
MRF10005
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