TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-218AC
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
表面贴装 | NO |
MTH8P18 | MTM8P18 | |
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描述 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-218AC | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,8A I(D),TO-3 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | Single | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 8 A | 8 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 125 W |
表面贴装 | NO | NO |
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