Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFMMT734

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UFMMT734: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小75KB，共3页; 制造商Zetex Semiconductors; 官网地址http://www.zetex.com/; 标准

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UFMMT734概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

UFMMT734规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	0.8 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	15000
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	140 MHz
Base Number Matches	1

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“SUPER SOT”

SOT23 PNP SILICON

POWER DARLINGTON TRANSISTOR

ISSUE 1 – AUGUST 1997

FEATURES

625mW POWER DISSIPATION

* Very High h

at High Current (5A)

* Extremely Low V

CE(sat)

at High Current (1A)

COMPLEMENTARY TYPE – FMMT634

PARTMARKING DETAIL – 734

FMMT734

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Temperature Range

SYMBOL

CBO

CEO

EBO

tot

stg

VALUE

-100

-12

-5

-800

625

-55 to +150

SOT23

UNIT

°C

* Maximum power dissipation is calculated assuming that the device is mounted on a ceramic

substrate measuring 15x15x0.6mm

**Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle

≤

UFMMT734相似产品对比

	UFMMT734
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证	符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	0.8 A
集电极-发射极最大电压	100 V
配置	DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)	15000
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	PNP
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	140 MHz
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