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OM6422SP6

产品描述Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-11
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小64KB,共2页
制造商Omnirel Corp
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OM6422SP6概述

Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-11

OM6422SP6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Omnirel Corp
包装说明SIP-11
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置COMPLEX
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.5 A
最大漏源导通电阻0.27 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T11
JESD-609代码e0
元件数量4
端子数量11
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

OM6422SP6相似产品对比

OM6422SP6 OM6421SP6
描述 Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-11 Power Field-Effect Transistor, 50V, 0.27ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-11
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Omnirel Corp Omnirel Corp
包装说明 SIP-11 SIP-11
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 COMPLEX COMPLEX
最小漏源击穿电压 100 V 50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.5 A 3.5 A
最大漏源导通电阻 0.27 Ω 0.27 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T11 R-PSFM-T11
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 4 4
端子数量 11 11
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
极性/信道类型 N-CHANNEL AND P-CHANNEL N-CHANNEL AND P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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