Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-11
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Omnirel Corp |
包装说明 | SIP-11 |
Reach Compliance Code | unknown |
Is Samacsys | N |
配置 | COMPLEX |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.27 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T11 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 11 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
OM6422SP6 | OM6421SP6 | |
---|---|---|
描述 | Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.27ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-11 | Power Field-Effect Transistor, 50V, 0.27ohm, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIP-11 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Omnirel Corp | Omnirel Corp |
包装说明 | SIP-11 | SIP-11 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
配置 | COMPLEX | COMPLEX |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 50 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 3.5 A | 3.5 A |
最大漏源导通电阻 | 0.27 Ω | 0.27 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T11 | R-PSFM-T11 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 4 | 4 |
端子数量 | 11 | 11 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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