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BFG11/X

产品描述Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小109KB,共2页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BFG11/X概述

Transistor,

BFG11/X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.4 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BFG11/X相似产品对比

BFG11/X BFG11
描述 Transistor, Transistor,
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 25 25
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 175 °C 175 °C
极性/信道类型 NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.4 W 0.4 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1

 
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