BYV96E(Z),BYV96E(Z) pdf中文资料,BYV96E(Z)引脚图,BYV96E(Z)电路-Datasheet-电子工程世界

BYV96E(Z): 产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小63KB，共2页; 制造商Galaxy Microelectronics; 标准

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BYV96E(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,

	BYV96E(Z)	BYV96D(Z)
描述	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-15,	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 800V V(RRM), Silicon, DO-15,
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
Is Samacsys	N	N
应用	FAST RECOVERY	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.6 V	1.6 V
JEDEC-95代码	DO-15	DO-15
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A
元件数量	1	1
相数	1	1
端子数量	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
最大输出电流	1.5 A	1.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	1000 V	800 V
最大反向电流	5 µA	5 µA
最大反向恢复时间	0.3 µs	0.3 µs
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1

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