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BUZ908DP

产品描述16A, 250V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PBL, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小24KB,共2页
制造商SEMELAB
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BUZ908DP概述

16A, 250V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PBL, 3 PIN

BUZ908DP规格参数

参数名称属性值
厂商名称SEMELAB
零件包装代码TO-3PBL
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压250 V
最大漏极电流 (ID)16 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MAGNA
TEC
20.0
5.0
BUZ907DP
BUZ908DP
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
3.3 Dia.
P–CHANNEL
POWER MOSFET
POWER MOSFETS FOR
AUDIO APPLICATIONS
1
2.0
2
3
2.0
1.0
FEATURES
• HIGH SPEED SWITCHING
• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED
• HIGH VOLTAGE (220V & 250V)
• HIGH ENERGY RATING
1.2
0.6
2.8
3.4
• ENHANCEMENT MODE
• INTEGRAL PROTECTION DIODES
• COMPLIMENTARY N–CHANNEL
BUZ902DP & BUZ903DP
5.45 5.45
TO-3PBL
Pin 1 – Gate
Pin 2 – Source
Case – Source
Pin 3 – Drain
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
case
= 25°C unless otherwise stated)
V
DSX
Drain – Source Voltage
V
GSS
I
D
I
D(PK)
P
D
T
stg
T
j
R
θJC
Gate – Source Voltage
Continuous Drain Current
Body Drain Diode
Total Power Dissipation
Storage Temperature Range
Maximum Operating Junction Temperature
Thermal Resistance Junction – Case
@ T
case
= 25°C
BUZ907DP
-220V
BUZ908DP
-250V
±14V
-16A
-16A
250W
–55 to 150°C
150°C
0.5°C/W
Magnatec.
Telephone (01455) 554711. Fax (01455) 558843
Prelim. 01/97
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