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C1815

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小162KB,共1页
制造商BCD Semi(Diodes)
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C1815概述

Small Signal Bipolar Transistor, 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, DIE-2

C1815规格参数

参数名称属性值
厂商名称BCD Semi(Diodes)
零件包装代码DIE
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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C1815
C1815 Silicon NPN Epitaxial Transistor
Description : The C1815 is designed for audio frequency general purpose amplifier
applications and driver stage amplifier applications
Features:
●Excellent
h
FE
Linearity
●Complementary
to A1015
Chip Appearance
Chip Size
Chip Thickness
Bonding Pad Size
Front Metal
Backside Metal
Scribe line width
Wafer Size
Base
Emitter
350um×350um
210±20um
110um×110um
100um×100um
Al
Au(As)
40um
6 inch
Electrical Characteristics( Ta=25℃)
Characteristic
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Symbol
I
CBO
I
EBO
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
Test Condition
V
CB
=60V, I
E
=0
V
EB
=5V, I
C
=0
I
C
=0.1mA,
I
C
=1mA,
I
E
=0.1mA,
V
CE
=6V, I
C
=2mA
I
C
=100mA,I
B
=10mA
60
50
5.0
150
600
0.30
V
Min
Max
0.1
0.1
Unit
uA
uA
V
V
V
May.2004
Version :0.0
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