NP36N055ILE-E1-AZ,NP36N055ILE-E1-AZ pdf中文资料,NP36N055ILE-E1-AZ引脚图,NP36N055ILE-E1-AZ电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NP36N055ILE-E1-AZ

NP36N055ILE-E1-AZ: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小170KB，共7页; 制造商NEC(日电); 标准

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NP36N055ILE-E1-AZ概述

Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN

NP36N055ILE-E1-AZ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
其他特性	TAPE AND REEL
雪崩能效等级（Eas）	108 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V
最大漏极电流 (ID)	36 A
最大漏源导通电阻	0.018 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e6
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

NP36N055ILE-E1-AZ相似产品对比

	NP36N055ILE-E1-AZ	NP36N055IHE-E2-AZ	NP36N055ILE-E2-AZ	NP36N055IHE-E1-AZ	NP36N055SHE	NP36N055HHE	NP36N055IHE
描述	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, TO-251, MP-3, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 55V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, MP-3Z, 3 PIN
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	LEAD FREE, TO-252, MP-3Z, 3 PIN	TO-252, MP-3ZK, 3 PIN	TO-251, MP-3, 3 PIN	TO-252, MP-3Z, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	unknown
雪崩能效等级（Eas）	108 mJ	108 mJ	108 mJ	108 mJ	108 mJ	108 mJ	108 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V	55 V	55 V	55 V	55 V	55 V
最大漏极电流 (ID)	36 A	36 A	36 A	36 A	36 A	36 A	36 A
最大漏源导通电阻	0.018 Ω	0.014 Ω	0.018 Ω	0.014 Ω	0.014 Ω	0.014 Ω	0.014 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA	TO-251AA	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	3	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	144 A	144 A	144 A	144 A	144 A	144 A	144 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	NO	YES
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	不符合	不符合	-
其他特性	TAPE AND REEL	TAPE AND REEL	TAPE AND REEL	TAPE AND REEL	-	-	-
JESD-609代码	e6	e6	e6	e6	e0	e0	-
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	260	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
端子面层	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN BISMUTH	TIN LEAD	TIN LEAD	-
处于峰值回流温度下的最长时间	10	10	10	10	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-

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