RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, 34, POWER MINIMOLD PACKAGE-3
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | NEC(日电) |
| 包装说明 | LEAD FREE, 34, POWER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Is Samacsys | N |
| 外壳连接 | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 4.5 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码 | e3/e6 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN/TIN BISMUTH |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 10000 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| NESG250134-T1-AZ-FB | NESG250134-AZ-FB | |
|---|---|---|
| 描述 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, LEAD FREE, 34, POWER MINIMOLD PACKAGE-3 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN, 34, POWER MINIMOLD PACKAGE-3 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NEC(日电) | NEC(日电) |
| 包装说明 | LEAD FREE, 34, POWER MINIMOLD PACKAGE-3 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 外壳连接 | EMITTER | EMITTER |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.5 A | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 4.5 V | 4.5 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE |
| 最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码 | e3/e6 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子面层 | MATTE TIN/TIN BISMUTH | TIN LEAD |
| 端子形式 | FLAT | FLAT |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON GERMANIUM | SILICON GERMANIUM |
| 标称过渡频率 (fT) | 10000 MHz | 10000 MHz |
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