NP84N04NHE-S18-AY,NP84N04NHE-S18-AY pdf中文资料,NP84N04NHE-S18-AY引脚图,NP84N04NHE-S18-AY电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> NP84N04NHE-S18-AY

NP84N04NHE-S18-AY: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, MP-25SK, TO-262, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小218KB，共10页; 制造商NEC(日电); 标准

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NP84N04NHE-S18-AY概述

Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, MP-25SK, TO-262, 3 PIN

NP84N04NHE-S18-AY规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NEC(日电)
包装说明	LEAD FREE, MP-25SK, TO-262, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	484 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V
最大漏极电流 (ID)	84 A
最大漏源导通电阻	0.0052 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	336 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	MATTE TIN
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

NP84N04NHE-S18-AY相似产品对比

	NP84N04NHE-S18-AY	NP84N04EHE-E2-AY	NP84N04EHE-E1-AY	NP84N04CHE-S12-AZ	NP84N04DHE-S12-AY	NP84N04KHE-E2-AY	NP84N04KHE-E1-AY
描述	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, MP-25SK, TO-262, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, MP-25, TO-220, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, MP-25, TO-262, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
厂商名称	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)	NEC(日电)
包装说明	LEAD FREE, MP-25SK, TO-262, 3 PIN	LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN	LEAD FREE, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN	LEAD FREE, MP-25, TO-220, 3 PIN	LEAD FREE, MP-25, TO-262, 3 PIN	LEAD FREE, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN	LEAD FREE, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
雪崩能效等级（Eas）	484 mJ	484 mJ	484 mJ	484 mJ	484 mJ	484 mJ	484 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V	40 V
最大漏极电流 (ID)	84 A	84 A	84 A	84 A	84 A	84 A	84 A
最大漏源导通电阻	0.0052 Ω	0.0052 Ω	0.0052 Ω	0.0052 Ω	0.0052 Ω	0.0052 Ω	0.0052 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-263AB	TO-263AB	TO-220AB	TO-262AA	TO-263AB	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSFM-T3	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e3	e3	e1	e3	e3	e3
元件数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	3	3	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	FLANGE MOUNT	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	336 A	336 A	336 A	336 A	336 A	336 A	336 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	YES	YES	NO	NO	YES	YES
端子面层	MATTE TIN	TIN	TIN	TIN SILVER COPPER	TIN	TIN	TIN
端子形式	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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