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MGSF1N03LT1

产品描述750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小125KB,共6页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MGSF1N03LT1概述

750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB

MGSF1N03LT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.75 A
最大漏极电流 (ID)0.75 A
最大漏源导通电阻0.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MGSF1N03LT1相似产品对比

MGSF1N03LT1 MGSF1N03LT3
描述 750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB 750mA, 30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
Is Samacsys N N
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 30 V 30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.75 A 0.75 A
最大漏极电流 (ID) 0.75 A 0.75 A
最大漏源导通电阻 0.1 Ω 0.1 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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