Photo Transistor, 800nm
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min | 30 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最大暗电源 | 100 nA |
| 红外线范围 | YES |
| JESD-609代码 | e0 |
| 标称光电流 | 0.5 mA |
| 安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
| 功能数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 100 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 光电设备类型 | PHOTO TRANSISTOR |
| 峰值波长 | 800 nm |
| 最大功率耗散 | 0.15 W |
| 最长响应时间 | 0.00001 s |
| 形状 | ROUND |
| 尺寸 | 1.14 mm |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved