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MJE270

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小174KB,共5页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MJE270概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin

MJE270规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1500
JEDEC-95代码TO-225AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值15 W
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6 MHz
VCEsat-Max3 V
Base Number Matches1
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