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JAN2N3767

产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-213AA, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小204KB,共3页
制造商Cobham PLC
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JAN2N3767概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, TO-213AA, 2 PIN

JAN2N3767规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明TO-213AA, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-213AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1
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