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DGB8112

产品描述Gunn Diode, 5GHz Min, 8.2GHz Max, 0.8W P(O), Gallium Arsenide, Continuous Wave,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小288KB,共9页
制造商Skyworks(思佳讯)
官网地址http://www.skyworksinc.com
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DGB8112概述

Gunn Diode, 5GHz Min, 8.2GHz Max, 0.8W P(O), Gallium Arsenide, Continuous Wave,

DGB8112规格参数

参数名称属性值
厂商名称Skyworks(思佳讯)
包装说明O-CUPM-N1
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
应用CONTINUOUS WAVE
最小连续输出功率0.8 W
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料GALLIUM ARSENIDE
二极管类型GUNN DIODE
JESD-30 代码O-CUPM-N1
元件数量1
端子数量1
典型工作电流1600 mA
最大工作频率8.2 GHz
最小工作频率5 GHz
标称工作电压12 V
最小输出功率0.8 W
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术GUNN
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
Base Number Matches1

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