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BYX102G

产品描述DIODE 0.36 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小47KB，共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BYX102G概述

DIODE 0.36 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BYX102G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明E-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)23.9 V
JESD-30 代码E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流15 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.36 A
封装主体材料GLASS
封装形状ELLIPTICAL
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压10000 V
最大反向恢复时间0.35 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

BYX102G相似产品对比

BYX102G BYX102GT/R BYX101GT/R BYX101G BYX103G BYX103GT/R BYX104G BYX104GT/R
描述 DIODE 0.36 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 0.36 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 0.4 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 0.4 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 0.31 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 0.31 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 0.225 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 0.225 A, 10000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2
针数 2 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2 E-LALF-W2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
最大输出电流 0.36 A 0.36 A 0.4 A 0.4 A 0.31 A 0.31 A 0.225 A 0.225 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL ELLIPTICAL
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 10000 V 10000 V 10000 V 10000 V 10000 V 10000 V 10000 V 10000 V
最大反向恢复时间 0.35 µs 0.35 µs 0.6 µs 0.6 µs 0.175 µs 0.175 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL

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