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BDW23B

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共1页
制造商Crimson Semiconductor Inc
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BDW23B概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

BDW23B规格参数

参数名称属性值
厂商名称Crimson Semiconductor Inc
包装说明TO-220, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)750
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值50 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
VCEsat-Max2 V
Base Number Matches1
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