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BYD31K113

产品描述DIODE 0.32 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小198KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
下载文档 详细参数 全文预览

BYD31K113概述

DIODE 0.32 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BYD31K113规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.32 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.3 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
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