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BYD163

产品描述DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小205KB,共8页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BYD163概述

DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode

BYD163规格参数

参数名称属性值
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.05 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流25 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

BYD163相似产品对比

BYD163 934055292163
描述 DIODE 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Signal Diode DIODE 1.6 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Rectifier Diode
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT LOW LEAKAGE CURRENT
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 25 A 25 A
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最大输出电流 1 A 1.6 A
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V 600 V
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL

 
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