TRANSISTOR 20 A, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB, Insulated Gate BIP Transistor
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | VOLTAGE CLAMPING |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 20 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 500 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf） | 10000 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 2 V |
| 门极-发射极最大电压 | 12 V |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值 | 125 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 晶体管应用 | AUTOMOTIVE IGNITION |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 最大关闭时间（toff） | 18000 ns |
| 标称断开时间 (toff) | 13000 ns |
| VCEsat-Max | 2.2 V |
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