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MRF951

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小893KB,共16页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRF951概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN

MRF951规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带L BAND
JESD-30 代码O-PRDB-F4
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.475 W
最大功率耗散 (Abs)0.475 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8000 MHz
Base Number Matches1

MRF951相似产品对比

MRF951
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknown
Is Samacsys N
其他特性 LOW NOISE
最大集电极电流 (IC) 0.1 A
基于收集器的最大容量 1 pF
集电极-发射极最大电压 10 V
配置 SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 50
最高频带 L BAND
JESD-30 代码 O-PRDB-F4
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 4
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND
封装形式 DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN
功耗环境最大值 0.475 W
最大功率耗散 (Abs) 0.475 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT
端子位置 RADIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON
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