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MRW3001F

产品描述S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小122KB,共5页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MRW3001F概述

S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MRW3001F规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接BASE
基于收集器的最大容量4 pF
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
最高频带S BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型NPN
最小功率增益 (Gp)7 dB
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

MRW3001F相似产品对比

MRW3001F MRW3003F MRW3005F
描述 S BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN S BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 DIFFUSED BALLAST RESISTORS DIFFUSED BALLAST RESISTORS DIFFUSED BALLAST RESISTORS
外壳连接 BASE BASE BASE
基于收集器的最大容量 4 pF 7 pF 10 pF
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 10 10 10
最高频带 S BAND S BAND S BAND
JESD-30 代码 O-CRDB-F2 O-CRDB-F2 O-CRDB-F2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 DISK BUTTON DISK BUTTON DISK BUTTON
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最小功率增益 (Gp) 7 dB 6 dB 5 dB
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 RADIAL RADIAL RADIAL
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
包装说明 DISK BUTTON, O-CRDB-F2 - DISK BUTTON, O-CRDB-F2

 
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