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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MJE371
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MJE371

产品描述Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-127, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-127, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小101KB，共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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MJE371概述

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-127, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-127, 3 PIN

MJE371规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明TO-127, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压40 V
最小直流电流增益 (hFE)40
JEDEC-95代码TO-127
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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MJE371相似产品对比

MJE371
描述 Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-127, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-127, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合
厂商名称 TT Electronics plc
包装说明 TO-127, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Is Samacsys N
最大集电极电流 (IC) 4 A
集电极-发射极最大电压 40 V
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JEDEC-95代码 TO-127
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
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元件数量 1
端子数量 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
极性/信道类型 PNP
认证状态 Not Qualified
表面贴装 NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE
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晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1

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  3. ASTX-H08-19.4400MHZ-B-E15-T
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