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MJE8503

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MJE8503概述

Transistor

MJE8503规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)7.5
JESD-609代码e0
最高工作温度125 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)80 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

MJE8503相似产品对比

MJE8503 BUT14 BUT15 MJ10014 MJ12004 MJ12003 MJ12005
描述 Transistor Transistor Transistor Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 750V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin Transistor Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 750V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
最大集电极电流 (IC) 5 A 25 A 20 A 10 A 5 A 4 A 8 A
配置 Single DARLINGTON DARLINGTON DARLINGTON SINGLE Single SINGLE
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) - Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
最小直流电流增益 (hFE) 7.5 30 30 10 2.5 - 5
最高工作温度 125 °C 200 °C 200 °C 200 °C - 150 °C 150 °C
最大功率耗散 (Abs) 80 W 175 W 175 W 175 W - 100 W 100 W
Base Number Matches 1 1 1 1 - - -

 
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