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BUX77R1

产品描述Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小92KB,共3页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
标准
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BUX77R1概述

Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN

BUX77R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-213AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)1.5 MHz
Base Number Matches1

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SILICON PLANAR EPITAXIAL
NPN TRANSISTOR
BUX77
High Power
Hermetic TO-66 Metal Package
Ideally suited for Driver Circuits, Switching
and Amplifier Applications
Screening Options Available
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(TC = 25°C unless otherwise stated)
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
PD
TJ
Tstg
Collector – Base Voltage
Collector – Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
Base Current
TC = 25°C
Total Power Dissipation at
Derate Above 25°C
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
100V
80V
6V
5A
0.8A
40W
0.23W/°C
-65 to +200°C
-65 to +200°C
THERMAL PROPERTIES
Symbols
R
θJC
Parameters
Thermal Resistance, Junction To Case
Min.
Typ.
Max.
4.4
Units
°C/W
Semelab Limited reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.
Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However
Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to
verify that datasheets are current before placing orders.
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Coventry Road, Lutterworth, Leicestershire, LE17 4JB
Telephone +44 (0) 1455 556565
Fax +44 (0) 1455 552612
Email:
sales@semelab-tt.com
Document Number 5514
Issue 3
Page 1 of 3
Website:
http://www.semelab-tt.com

BUX77R1相似产品对比

BUX77R1 BUX77
描述 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-213AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-66, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 5 A 5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JEDEC-95代码 TO-213AA TO-213AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 1.5 MHz 1.5 MHz
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