RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | TT Electronics plc |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 65 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 1 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | L BAND |
| 元件数量 | 1 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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