BFG67/XR,BFG67/XR pdf中文资料,BFG67/XR引脚图,BFG67/XR电路-Datasheet-电子工程世界

BFG67/XR: 产品描述Transistor,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共20页; 制造商North American Philips Discrete Products Div

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BFG67/XR概述

Transistor,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	North American Philips Discrete Products Div
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
配置	Single
最小直流电流增益 (hFE)	60
JESD-609代码	e0
最高工作温度	175 °C
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

	BFG67/XR	BFG67/X	BFG67	BFG67R
描述	Transistor,	Transistor,	Transistor,	Transistor,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	North American Philips Discrete Products Div	North American Philips Discrete Products Div	North American Philips Discrete Products Div	North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknow
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
配置	Single	Single	Single	Single
最小直流电流增益 (hFE)	60	60	60	60
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	175 °C
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W	0.3 W	0.3 W
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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