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MEM864VXMB-12

产品描述EEPROM Module, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDXA32
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文件大小401KB,共10页
制造商MOSAIC
官网地址http://www.mosaicsemi.com/
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MEM864VXMB-12概述

EEPROM Module, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDXA32

MEM864VXMB-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称MOSAIC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.2.C
Is SamacsysN
最长访问时间120 ns
其他特性PAGE WRITE; BULK ERASE; AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码R-CDXA-T32
内存密度524288 bit
内存集成电路类型EEPROM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式VERTICAL IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

MEM864VXMB-12相似产品对比

MEM864VXMB-12 MEM864VXM-15
描述 EEPROM Module, 64KX8, 120ns, Parallel, CMOS, CDXA32 EEPROM Module, 64KX8, 150ns, Parallel, CMOS, CDXA32
厂商名称 MOSAIC MOSAIC
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C
最长访问时间 120 ns 150 ns
其他特性 PAGE WRITE; BULK ERASE; AUTOMATIC WRITE PAGE WRITE; BULK ERASE; AUTOMATIC WRITE
JESD-30 代码 R-CDXA-T32 R-CDXA-T32
内存密度 524288 bit 524288 bit
内存集成电路类型 EEPROM MODULE EEPROM MODULE
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 32 32
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
组织 64KX8 64KX8
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 VERTICAL IN-LINE VERTICAL IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
编程电压 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL
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