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BZW03D110-TAP

产品描述Zener Diode, 110V V(Z), 10%, 1.85W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小44KB,共4页
制造商Vishay Telefunken (Vishay)
官网地址http://www.vishay.com
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BZW03D110-TAP在线购买

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BZW03D110-TAP概述

Zener Diode, 110V V(Z), 10%, 1.85W,

BZW03D110-TAP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay Telefunken (Vishay)
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗125 Ω
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散1.85 W
标称参考电压110 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差10%
Base Number Matches1

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BZW03D...
Vishay Telefunken
Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors
Features
D
Glass passivated junction
D
Hermetically sealed package
D
Clamping sealed package
Applications
94 9588
Voltage regulators and transient suppression circuits
Order Instruction
Type
BZW03D6V8
Ordering Code
BZW03D6V8–TAP
Remarks
Ammopack
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Repetitive peak reverse power dissipation
Non repetitive peak surge power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=10 mm, T
L
=25
°
C
T
amb
=45
°
C
t
p
=100
m
s, T
j
=25
°
C
Type
Symbol
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
stg
Value
6.0
1.85
20
1000
175
–65...+175
Unit
W
W
W
W
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=25 mm, T
L
=constant
on PC board with spacing 37.5 mm
Symbol
R
thJA
R
thJA
Value
30
70
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=1A
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
Document Number 85603
Rev. 3, 12-Mar-01
www.vishay.com
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