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BZD27C110P

产品描述Zener Diode, 110V V(Z), 5.4%, 150W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小531KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BZD27C110P概述

Zener Diode, 110V V(Z), 5.4%, 150W,

BZD27C110P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗250 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散150 W
标称参考电压110 V
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5.4%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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Production specification
Transient Voltage Suppressor
Features
Sillicon planar zener diodes.
Low profile surface-mount package.
Zener and surge current specification
Low leakage current
Excellent stability
High temperature soldering guaranteed:
265°C /10 seconds, at terminals
RoHS Compliant
Case: SOD-123FL molded plastic
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Polarity: Color band denotes cathode end
BZD27C--SERIES
Mechanical Data
Maximum Ratings
(@T
A
= 25°C unless otherwise specified)
Parameter
Non-repetitive peak pulse power dissipation
with a 10/1000μs waveform (NOTE 1)
Power dissipation at T
A
=25°C (NOTE 2)
Reverse current at stand-off voltage @ V
WM
Maximum instantaneous forward voltage at 0.2A
Thermal resistance junction to ambient
Operating temperature junction range
Storage temperature range
Symbol
P
PPM
P
t o t
I
R
V
F
R
θ JA
T
J
T
STG
Value
150
0.8
SEE TABLE 1
1.2
180
- 55 --- +150
- 55 --- +150
Units
Watts
Watts
μA
Volts
K/W
°C
°C
NOTES:
1.T
J
=25°C prior to surge.
2. Mounted on epoxy-glass PCB with 3×3 mm Cu pads(≥40μm thick)
3. Non-repetitive peak reverse current in accordance with "IEC 60-1,Section 8" (10/1000 μs pulse)
SOD606AA
Rev.B
www.gmesemi.com
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编译出错,找了半天也没见什么看得懂的 唯一找到的如下 ----------------- checksum: 66C3 Checksum process NG! address = 0x0, length = 0xFFFFFFFF Calc-Checksum = 0x69DB Save- ......
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