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BCY58IX

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小363KB,共9页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BCY58IX概述

Transistor

BCY58IX规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
配置Single
JESD-609代码e0
最高工作温度175 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.6 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)125 MHz
Base Number Matches1

BCY58IX相似产品对比

BCY58IX BCY58VIII BCY59X
描述 Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div North American Philips Discrete Products Div
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A 0.2 A
配置 Single Single Single
JESD-609代码 e0 e0 e0
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.6 W 0.6 W 0.6 W
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 125 MHz 125 MHz 125 MHz

 
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