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MMG05N60DT3

产品描述0.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-261, TO-261A, 4 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小190KB,共5页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MMG05N60DT3概述

0.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-261, TO-261A, 4 PIN

MMG05N60DT3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
零件包装代码TO-261
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-261
JESD-30 代码R-PDSO-G4
元件数量1
端子数量4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)301 ns
Base Number Matches1

MMG05N60DT3相似产品对比

MMG05N60DT3 MMG05N60DT1
描述 0.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-261, TO-261A, 4 PIN 0.5A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-261, TO-261A, 4 PIN
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
零件包装代码 TO-261 TO-261
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
其他特性 HIGH SPEED SWITCHING HIGH SPEED SWITCHING
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 600 V 600 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-261 TO-261
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
元件数量 1 1
端子数量 4 4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 301 ns 301 ns
Base Number Matches 1 1

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