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MTD1N50E

产品描述Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小266KB,共10页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTD1N50E概述

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 500V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

MTD1N50E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)45 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)1 A
最大漏极电流 (ID)1 A
最大漏源导通电阻5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)3 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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