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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BCX69-25
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BCX69-25

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小336KB，共4页
制造商Galaxy Microelectronics
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BCX69-25概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

BCX69-25规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)160
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
Base Number Matches1

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Production specification
PNP Silicon AF Transistors
FEATURES
For general AF applications.
High collector current.
High current gain.
Low collector-emitter saturation voltage.
Complementsry type:BCX68.
BCX69
Pb
Lead-free
SOT-89
ORDERING INFORMATION
Type No.
BCX69
BCX69-10
BCX69-16
BCX69-25
Marking
CE
CF
CG
CH
Package Code
SOT-89
SOT-89
SOT-89
SOT-89
MAXIMUM RATING
@ Ta=25℃ unless otherwise specified
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
j,
T
stg
Parameter
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Current -Peak
Base Current
Peak Base Current
Total Power Dissipation
Junction and Storage Temperature
Value
-25
-20
-5
-1
-2
-0.1
-0.2
1
-65 to +150
Unit
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
E068
Rev.A
www.gmesemi.com
1

BCX69-25相似产品对比

BCX69-25 BCX69 BCX69-16 BCX69-10
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 20V; IC (A): 1A; HFE Min: 85; HFE Max: 375; VCE (V): 1V; IC (mA): 500mA; VCE(SAT) (V): 0.5V; IC (mA)1: 1000mA; IB (mA): 100mA; FT Min (MHz): 100+ MHz; PTM Max (W): 0.5W; Package: SOT-89; package_code: SOT-89; mfr_package_code: SOT-89 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 20 V 20 V 20 V 20 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 160 85 100 85
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
Is Samacsys N N N -
Base Number Matches 1 1 1 -

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