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BCW65CR

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小76KB,共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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BCW65CR概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN

BCW65CR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.8 A
集电极-发射极最大电压32 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)180
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
参考标准CECC50002-233
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间(toff)400 ns
最大开启时间(吨)100 ns
Base Number Matches1

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 3 - AUGUST 1995
PARTMARKING DETAILS –
BCW65A – EA
BCW65B – EB
BCW65C – EC
BCW66F – EF
BCW66G – EG
BCW66H – EH
COMPLEMENTARY TYPES –
BCW65 – BCW67
BCW66 – BCW68
BCW65AR –
BCW65BR –
BCW65CR –
BCW66FR –
BCW66GR –
BCW66HR –
4V
5V
6V
7P
5T
7M
BCW65
BCW66
C
B
E
SOT23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current(10ms)
Base Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
BCW65
60
32
5
800
1000
100
330
-55 to +150
BCW66
75
45
UNIT
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
3 - 27

BCW65CR相似产品对比

BCW65CR BCW65BR BCW65AR
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.8 A 0.8 A 0.8 A
集电极-发射极最大电压 32 V 32 V 32 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 180 110 75
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 CECC50002-233 CECC50002-233 CECC50002-233
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
最大关闭时间(toff) 400 ns 400 ns 400 ns
最大开启时间(吨) 100 ns 100 ns 100 ns
Base Number Matches 1 1 -
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