电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BDY26A

产品描述Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小43KB,共2页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BDY26A概述

Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

BDY26A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)6 A
集电极-发射极最大电压180 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
JEDEC-95代码TO-204AA
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10 MHz
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
BDY26A
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm (inches)
25.15 (0.99)
26.67 (1.05)
10.67 (0.42)
11.18 (0.44)
1.52 (0.06)
3.43 (0.135)
6.35 (0.25)
9.15 (0.36)
HIGH CURRENT
NPN SILICON TRANSISTOR
FEATURES
HIGH SWITCHING CURRENTS
HIGH RELIABILITY
CECC SCREENING OPTIONS
SPACE QUALITY LEVELS OPTIONS
JAN LEVEL SCREENING OPTIONS
38.61 (1.52)
39.12 (1.54)
0.97 (0.060)
1.10 (0.043)
29.9 (1.177)
30.4 (1.197)
16.64 (0.655)
17.15 (0.675)
1
2
3
(case)
3.84 (0.151)
4.09 (0.161)
7.92 (0.312)
12.70 (0.50)
22.23
(0.875)
max.
APPLICATIONS
SWITCHING REGULATORS
LINEAR APPLICATIONS
TO3 (TO204AA)
Pin 1 = Base
Pin 2 = Emitter
Case = Collector
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
CASE
= 25° unless otherwise stated
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
tot
T
J
T
stg
Collector - Base Voltage
Collector - Emitter Voltage
Emitter – Base Voltage
Continuous Collector Current
Base Current
Total Power Dissipation at
T
case
= 25°
C
Derate above 25°
C
Junction Temperature
Storage Temperature
300V
180V
10V
6A
3A
50W
0.29 W/°
C
200°
C
-65 to 200°
C
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed to be
both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab
encourages customers to verify that datasheets are current before placing orders.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
DOC 7654, ISSUE 1

BDY26A相似产品对比

BDY26A BDY26AR1
描述 Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 6 A 6 A
集电极-发射极最大电压 180 V 180 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 15 15
JEDEC-95代码 TO-204AA TO-204AA
JESD-30 代码 O-MBFM-P2 O-MBFM-P2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 10 MHz 10 MHz
Base Number Matches 1 1
PCB设计流程图 思路清晰远比卖力苦干重要
思路清晰远比卖力苦干重要!!! 相信很多刚接触PCB的伙伴们,心里一开始没有个准确的思路和规划,以至于在操作的途中遇到一些其实本就可以避免的问题。那么要想后期为自己节省时 ......
qwqwqw2088 PCB设计
跟着管管逛深圳ELEXCON电子展:Round 2
我又来了我又来了~~ 昨天我们分享了第一天的逛展战果,还没看过的网友请到右侧这贴查看>>>>>>>Round 1 下面来逛展2.0版本: 499953499955 499954 499956 ......
okhxyyo 国产芯片交流
wince 启动后如何不显示CE的背景页面?
我的应用程序设置了开机后自动启动,如何屏蔽掉开机后显示的WINCE背景界面,而直接显示应用程序的界面?...
dww12304106 嵌入式系统
CC2xxx的输出/输入阻抗值具体是多少?
对于单端输出/输入,我们可以视为 50 Ohm。对于双端差分端口,如 CC253x 和 CC254x, 差分阻抗为非标准值。TI推荐复制参考设计而不是告知具体阻抗值有以下考虑。 首先,CC253x, CC254x ......
Jacktang 无线连接
纳秒脉冲源50欧姆负载上输出电压波形后沿下降问题
电路原理图如下,其中U8和U11为MOSFET,成推挽结构,50欧姆负载上波形如下,求解负载上电压波形下降沿波动问题的原因及解决方法,谢啦!...
XT江南小草 电源技术
【藏书阁】图解控制用微机入门
37570 目录: 1 微机——一种全新的工具 1.1 微机的用途 1.2 控制用微机的作用 1.3 通过流程图了解微机控制的工作内容 本章要点 练习题 2 微机的组成结构 2.1 微机的分类 2.2 CPU ......
wzt 模拟电子

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 826  1793  1790  1251  1626  52  32  35  31  15 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved