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BDW91

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小46KB,共1页
制造商Crimson Semiconductor Inc
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BDW91概述

Small Signal Bipolar Transistor, 4A I(C), 180V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,

BDW91规格参数

参数名称属性值
厂商名称Crimson Semiconductor Inc
Reach Compliance Codeunknown
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)4 A
集电极-发射极最大电压180 V
配置DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)1000
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值10 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)2 MHz
VCEsat-Max2 V
Base Number Matches1

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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