BDS10SMD05-JQR-BR4,BDS10SMD05-JQR-BR4 pdf中文资料,BDS10SMD05-JQR-BR4引脚图,BDS10SMD05-JQR-BR4电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BDS10SMD05-JQR-BR4

BDS10SMD05-JQR-BR4: 产品描述15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小11KB，共1页; 制造商SEMELAB; 标准

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BDS10SMD05-JQR-BR4概述

15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN

BDS10SMD05-JQR-BR4规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMELAB
零件包装代码	TO-276AA
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	5
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	15 A
集电极-发射极最大电压	60 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40
JEDEC-95代码	TO-276AA
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e4
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz
Base Number Matches	1

BDS10SMD05-JQR-BR4相似产品对比

	BDS10SMD05-JQR-BR4	BDS10SMD05-JQRR4	BDS10SMD05-JQR-AR4	BDS10SMD05-QR-BR4
描述	15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN	15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN	15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN	15A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-276AA, HERMETICALLY SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	SEMELAB	SEMELAB	SEMELAB	SEMELAB
零件包装代码	TO-276AA	TO-276AA	TO-276AA	TO-276AA
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	5	5	5	5
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
Is Samacsys	N	N	N	N
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	15 A	15 A	15 A	15 A
集电极-发射极最大电压	60 V	60 V	60 V	60 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	40	40	40	40
JEDEC-95代码	TO-276AA	TO-276AA	TO-276AA	TO-276AA
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e4	e4	e4	e4
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子面层	GOLD	GOLD	GOLD	GOLD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	3 MHz	3 MHz	3 MHz	3 MHz
Base Number Matches	1	1	1	1

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