Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 放大器电路> 5962-1024101KXC

5962-1024101KXC: 产品描述Operational Amplifier, 4 Func, 2000uV Offset-Max, CMOS, CDSO16, 0.400 X 0.300 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-16; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小275KB，共6页; 制造商Cobham Semiconductor Solutions

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5962-1024101KXC概述

Operational Amplifier, 4 Func, 2000uV Offset-Max, CMOS, CDSO16, 0.400 X 0.300 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-16

5962-1024101KXC规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP,
针数	16
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.000002 µA
标称共模抑制比	70 dB
最大输入失调电压	2000 µV
JESD-30 代码	R-CDSO-G16
功能数量	4
端子数量	16
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified
供电电压上限	6 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
总剂量	300k Rad(Si) V
Base Number Matches	1

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Standard Products

RadHard-by-Design

RHD5900 Quad Operational Amplifier

www.aeroflex.com/RHDseries

April 8, 2013

FEATURES



Single power supply operation (3.3V to 5.0V) or dual power supply operation (±1.65 to ±2.5V)

Radiation performance

- Total dose:

>1Mrad(Si); Dose rate = 50 - 300 rads(Si)/s

- ELDRS Immune

- SEL Immune

>100 MeV-cm

/mg

- Neutron Displacement Damage >10

neutrons/cm

Rail-to-Rail input and output range

Short Circuit Tolerant

Full military temperature range

Designed for aerospace and high reliability space applications

Packaging – Hermetic ceramic SOIC

- 16-pin, .411"L x .293"W x .105"Ht

- Weight - 0.8 grams max

Aeroflex Plainview’s Radiation Hardness Assurance Plan is DLA Certified to MIL-PRF-38534, Appendix G.



GENERAL DESCRIPTION

Aeroflex’s RHD5900 is a radiation hardened, single supply, quad operational amplifier in a 16-pin SOIC

package. The RHD5900 design uses specific circuit topology and layout methods to mitigate total ionizing

dose effects and single event latchup. These characteristics make the RHD5900 especially suited for the

harsh environment encountered in Deep Space missions. It is guaranteed operational from -55°C to

+125°C. Available screened in accordance with MIL-PRF-38534 Class K, the RHD5900 is ideal for

demanding military and space applications.

ORGANIZATION AND APPLICATION

The RHD5900 amplifiers are capable of rail-to-rail input and outputs. Performance characteristics listed are

for general purpose operational 5V CMOS amplifier applications. The amplifiers will drive substantial

resistive or capacitive loads and are unity gain stable under normal conditions. Resistive loads in the low

kohm range can be handled without gain derating and capacitive loads of several nF can be tolerated.

CMOS device drive has a negative temperature coefficient and the devices are therefore inherently tolerant

to momentary shorts, although on chip thermal shutdown is not provided. All inputs and outputs are diode

protected.

The devices will not latch with SEU events to above 100 MeV-cm

/mg. Total dose degradation is minimal

to above 1Mrad(Si). Displacement damage environments to neutron fluence equivalents in the mid 10

neutrons per cm

range are readily tolerated. There is no sensitivity to low-dose rate (ELDRS) effects. SEU

effects are application dependent.

SCD5900 Rev G

5962-1024101KXC相似产品对比

	5962-1024101KXC	5962-1024101KXA	5962H1024101KXA	5962H1024101KXC	RHD5900-7
描述	Operational Amplifier, 4 Func, 2000uV Offset-Max, CMOS, CDSO16, 0.400 X 0.300 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-16	Operational Amplifier, 4 Func, 2000uV Offset-Max, CMOS, CDSO16, 0.400 X 0.300 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-16	Operational Amplifier, 4 Func, 2000uV Offset-Max, CMOS, CDSO16, 0.400 X 0.300 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-16	Operational Amplifier, 4 Func, 2000uV Offset-Max, CMOS, CDSO16, 0.400 X 0.300 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-16	Operational Amplifier, 4 Func, 2000uV Offset-Max, CMOS, CDSO16, 0.400 X 0.300 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SOIC-16
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,	SOP,
针数	16	16	16	16	16
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	3A001.A.1.A	3A001.A.1.A	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
最大平均偏置电流 (IIB)	0.000002 µA	0.000002 µA	0.000002 µA	0.000002 µA	0.000002 µA
标称共模抑制比	70 dB	70 dB	70 dB	70 dB	70 dB
最大输入失调电压	2000 µV	2000 µV	2000 µV	2000 µV	2000 µV
JESD-30 代码	R-CDSO-G16	R-CDSO-G16	R-CDSO-G16	R-CDSO-G16	R-CDSO-G16
功能数量	4	4	4	4	4
端子数量	16	16	16	16	16
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
供电电压上限	6 V	6 V	6 V	6 V	6 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
总剂量	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V	300k Rad(Si) V
Base Number Matches	1	1	1	1	-

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