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74ACT20B

产品描述DUAL 4-INPUT NAND GATE
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小184KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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74ACT20B概述

DUAL 4-INPUT NAND GATE

74ACT20B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP14,.3
针数14
Reach Compliance Codecompli
系列ACT
JESD-30 代码R-PDIP-T14
JESD-609代码e3
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.024 A
功能数量2
输入次数4
端子数量14
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP14,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Su9.5 ns
传播延迟(tpd)9.5 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度5.1 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

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74ACT20
DUAL 4-INPUT NAND GATE
s
s
s
s
s
s
s
s
s
HIGH SPEED: t
PD
= 5ns (TYP.) at V
CC
= 5V
LOW POWER DISSIPATION:
I
CC
= 4µA(MAX.) at T
A
=25°C
COMPATIBLE WITH TTL OUTPUTS
V
IH
= 2V (MIN.), V
IL
= 0.8V (MAX.)
50Ω TRANSMISSION LINE DRIVING
CAPABILITY
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:
|I
OH
| = I
OL
= 24mA (MIN)
BALANCED PROPAGATION DELAYS:
t
PLH
t
PHL
OPERATING VOLTAGE RANGE:
V
CC
(OPR) = 4.5V to 5.5V
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH
74 SERIES 20
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY
DIP
SOP
TSSOP
ORDER CODES
PACKAGE
DIP
SOP
TSSOP
TUBE
74ACT20B
74ACT20M
DESCRIPTION
The 74ACT20 is an advanced high-speed CMOS
DUAL 4-INPUT NAND GATE fabricated with
sub-micron silicon gate and double-layer metal
wiring C
2
MOS tecnology.
The internal circuit is composed of 3 stages in-
cluding buffer output, which enables high noise
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS
O
so
b
te
le
r
P
uc
od
s)
t(
bs
-O
immunity and stable output.
The device is designed to interface directly High
Speed CMOS systems with TTL, NMOS and
CMOS output voltage levels.
All inputs and outputs are equipped with protec-
tion circuits against static discharge, giving them
2KV ESD immunity and transient excess voltage.
et
l
o
P
e
od
r
s)
t(
uc
T&R
74ACT20MTR
74ACT20TTR
April 2001
1/8

74ACT20B相似产品对比

74ACT20B 74ACT20TTR 74ACT20 74ACT20M
描述 DUAL 4-INPUT NAND GATE DUAL 4-INPUT NAND GATE DUAL 4-INPUT NAND GATE DUAL 4-INPUT NAND GATE
是否Rohs认证 符合 不符合 - 符合
零件包装代码 DIP TSSOP - SOIC
包装说明 DIP, DIP14,.3 TSSOP-14 - SOP, SOP14,.25
针数 14 14 - 14
Reach Compliance Code compli _compli - compli
系列 ACT ACT - ACT
JESD-30 代码 R-PDIP-T14 R-PDSO-G14 - R-PDSO-G14
JESD-609代码 e3 e0 - e4
负载电容(CL) 50 pF 50 pF - 50 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE - NAND GATE
最大I(ol) 0.024 A 0.024 A - 0.024 A
功能数量 2 2 - 2
输入次数 4 4 - 4
端子数量 14 14 - 14
最高工作温度 125 °C 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP TSSOP - SOP
封装等效代码 DIP14,.3 TSSOP14,.25 - SOP14,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TAPE AND REEL - TUBE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V - 5 V
Prop。Delay @ Nom-Su 9.5 ns 9.5 ns - 9.5 ns
传播延迟(tpd) 9.5 ns 9.5 ns - 9.5 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
施密特触发器 NO NO - NO
座面最大高度 5.1 mm 1.1 mm - 1.75 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V
表面贴装 NO YES - YES
技术 CMOS CMOS - CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY - MILITARY
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn/Pb) - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING - GULL WING
端子节距 2.54 mm 0.65 mm - 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 4.4 mm - 3.9 mm
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