Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 5962R1020501VXC

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5962R1020501VXC: 产品描述Standard SRAM, 1MX39, 20ns, CMOS, QFP-132; 产品类别存储存储; 文件大小188KB，共24页; 制造商Cobham PLC

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5962R1020501VXC概述

Standard SRAM, 1MX39, 20ns, CMOS, QFP-132

5962R1020501VXC规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Cobham PLC
包装说明	GQFP, TPAK132,1.8SQ,25
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	20 ns
其他特性	ALSO OPERATES AT 2.3 V TO 3.6 V SUPPLY
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-XQFP-G132
长度	22.86 mm
内存密度	40894464 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	39
功能数量	1
端子数量	132
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	1MX39
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	GQFP
封装等效代码	TPAK132,1.8SQ,25
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, GUARD RING
并行/串行	PARALLEL
电源	1.8,2.5/3.3 V
认证状态	Qualified
筛选级别	MIL-PRF-38535 Class V
座面最大高度	7.87 mm
最大待机电流	0.047 A
最小待机电流	1 V
最大压摆率	0.225 mA
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.9 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子形式	GULL WING
端子节距	0.635 mm
端子位置	QUAD
宽度	22.86 mm
Base Number Matches	1

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Standard Products

UT8R1M39 40Megabit SRAM MCM

UT8R2M39 80Megabit SRAM MCM

UT8R4M39 160Megabit SRAM MCM

Preliminary Data Sheet

June 8, 2011

www.aeroflex.com/memories

FEATURES



20ns Read, 10ns Write maximum access times available



Functionally compatible with traditional 1M, 2M, or 4M x

39 SRAM devices



CMOS compatible input and output levels, three-state

bidirectional data bus

- I/O Voltages 2.3V to 3.6V, 1.7V to 2.0V core



Available densities:

- UT8R1M39: 40, 894, 464 bits

- UT8R2M39: 81, 788, 928 bits

- UT8R4M39: 163, 577, 856 bits



Operational Environment:

- Total-dose: 100 krad(Si)

- SEL Immune: 111MeV-cm

/mg

- SEU error rate = 6.3x10

-7

errors/bit-day assuming

geosynchronous orbit, Adam’s 90% worst environment.



Packaging options:

- 132-lead side-brazed dual cavity ceramic quad flatpack



Standard Microelectronics Drawing:

- UT8R1M39: 5962-10205

- QML Q, Q+ and V compliant part

- UT8R2M39: 5962-10206

- QML Q, Q+ and V pending

- UT8R4M39: 5962-10207

- QML Q, Q+ and V pending

INTRODUCTION

The UT8R1M39, UT8R2M39, and UT8R4M39 are high

performance CMOS static RAM multichip modules (MCMs)

organized as two, four, or eight individual 524,288 words x 39

bits dice respectively. Easy memory expansion is provided by

active LOW chip enables (En), an active LOW output enable

(G), and three-state drivers. This device has a power-down

feature that reduces power consumption by more than 90% when

deselected.

Writing to the device is accomplished by driving one of the chip

enable (En) inputs LOW and the write enable (W) input LOW.

Data on the 39 I/O pins (DQ0 through DQ38) is then written into

the location specified on the address pins (A0 through A18).

Reading from the device is accomplished by driving one of the

chip enables (En) and output enable (G) LOW while driving

write enable (W) HIGH. Under these conditions, the contents of

the memory location specified by the address pins will appear

on the I/O pins.

Note:

Only one En pin may be active at any time.

The 39 input/output pins (DQ0 through DQ38) are placed in a

high impedance state when the device is deselected (En HIGH),

the outputs are disabled (G HIGH), or during a write operation

(En LOW, W LOW).

Figure 1. Block Diagram

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