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CM1200HG-66H

产品描述HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共7页
制造商Mitsubishi(日本三菱)
官网地址http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
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CM1200HG-66H概述

HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

CM1200HG-66H规格参数

参数名称属性值
零件包装代码MODULE
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9
针数9
Reach Compliance Codeunknow
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)1200 A
集电极-发射极最大电压3300 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X9
元件数量3
端子数量9
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)12500 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
VCEsat-Max4.2 V
Base Number Matches1

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描述 HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE HVIGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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