54102-G08-30

　　异常类型 　　F103 在内核水平上搭载了一个异常响应系统， 支持为数众多的系统异常和外部中断。其中系统异常有8 个(如果把Reset 和HardFault 也算上的话就是10 个)，外部中断有60个。除了个别异常的优先级被定死外，其它异常的优先级都是可编程的。有关具体的系统异常和外部中断可在标准库文件stm32f10x.h 这个头文件查询到，在IRQn_Type 这个结构体里面包含了F10...[详细]

　　stm32作为现在嵌入式物联网单片机行业中经常要用多的技术，相信大家都有所接触，今天这篇就给大家详细的分析下有关于stm32的出口，还不是很清楚的朋友要注意看看了哦，在最后还会为大家分享有些关于stm32的视频资料便于学习参考。 　　什么是串口 　　UART : Universal Asynchronous Receiver/Transmitter 通用异步收发器 　　USART : Uni...[详细]

中国上海——2025年8月26日——莱迪思半导体公司，低功耗可编程器件的领先供应商宣布，公司 将举办网络研讨会，探讨其基于屡获殊荣的Lattice Nexus™ FPGA产品系列的小型FPGA的最新扩展。 本次直播将对新推出的莱迪思Certus™-NX和莱迪思MachXO5™-NX FPGA器件进行深入的技术介绍，这些新拓展的器件提供了高I/O密度、低功耗和增强的安全功能。莱迪思专家还将介...[详细]

8 月 25 日消息，SK 海力士公司宣布其 321 层 2Tb QLC NAND 闪存产品已完成开发并正式投入量产。这一成果标志着全球首次实现超过 300 层的 QLC 技术应用，为 NAND 存储密度树立了新的标杆。该公司计划在完成全球客户验证后，于明年上半年正式推出该产品。 为提升新产品的成本竞争力，SK 海力士开发了一种容量为 2Tb 的设备，其容量是现有解决方案的两倍。为应对大容量 N...[详细]

是德科技将其电磁仿真器与新思科技的 AI 驱动射频设计迁移流程相结合，打造集成设计流程，助力从台积电 (TSMC) 的 N6RF+ 工艺技术迁移到 N4P 工艺技术。 该迁移工作流程基于晶圆代工厂的模拟设计迁移 (ADM) 方法，旨在简化无源器件和设计组件的重新设计，使其符合先进的射频工艺规则。 是德科技表示，该协作迁移工作流程充分利用了 N4P 工艺的性能提升，用于从 N6RF+ 迁移...[详细]

多电平逆变器将DC信号转换成多电平阶梯波形。多电平逆变器的输出波形不是直接正负交替，而是多步交替。因为波形的平滑度与电压电平的数量成正比。因此，多电平逆变器将产生更平滑的波形。如前所述，较小步长的这一特性使其可用于实际应用。 多电平逆变器是什么东西 多电平逆变器的优势 更好的电压波形:使用多电平逆变器，可以获得更好的电压波形。 开关频率对于PWM操作可以进一步降低。 使用低额定值设备的高电压...[详细]

通常情况下煤矿井下含有瓦斯和煤尘。当瓦斯和煤尘达到一定浓度时，就会发生瓦斯和煤尘爆炸事故。而电气设备在正常运行或故障时就会产生电弧，电弧也是煤矿燃烧煤气和煤尘的主要火源之一。因此，煤矿的电气设备通常都采用矿用防爆R型隔离变压器。矿用防爆电气的设计制造必须符合国家防爆设备标准。防爆设备的总标志是EX。防爆电气设备的类型、类别、级别和组别以及防爆设备的总标志一起，形成防爆标志。除了防爆电源变压器的明...[详细]

Plessey Semiconductors 已被 Haylo Labs 收购。Haylo Labs 成立于去年 3 月，由中国科技公司歌尔股份提供 1 亿美元五年期贷款。 Haylo Labs 五个月前由成立两年的风险投资基金 Haylo Ventures 创立。Haylo Ventures 表示：“我们认识到整合分散但前景广阔的 MicroLED 行业的必要性，因此成立了 Haylo L...[详细]

博世发布新SoC系列以支撑L2+级别的高级驾驶辅助功能，该芯片集成了高分辨率与远距离探测能力，并内置对神经网络推理的支持与车规接口，便于车厂在主流车型上实现自动紧急制动、自适应巡航等功能的升级。 图片来源：博世 该芯片定位在主流家用轿车和SUV的ADAS平台，可与摄像头、毫米波雷达等传感器融合使用，帮助车企在更广泛的产品线上部署成熟的辅助驾驶功能并提升道路安全准入率。 ...[详细]

市场上的逆变器电源产品,大体可分两种,一种是正弦波逆变器,一种是方波逆变器,有些工程师也喜欢把纯正弦波逆变器的另分一类,那就是正弦波,纯正弦波,方波。 1.正弦波,它输出的波形就如同我们用的市电一样的波,但它输出的波形要比市电的好,所以这种产品的对于所有的用电设备都合适.但它的价格较高,一般300W的就卖到800多元.一般用天高精密设备,探测,研发,军事等地方多.而对于家电,我们也不必用哪么高要...[详细]

电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。 为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。 ...[详细]

　　简介：在数字电路的运算中，没有小数点概念的，小数你知道在哪个位置，但是电路不知道小数点的位置，所以你要想法让电路在不知道小数点的情况下仍然能够运算出你想要的结果。这里就要进行小数点对齐。 　　1,小数的运算 　　在数字电路的运算中，没有小数点概念的，小数你知道在哪个位置，但是电路不知道小数点的位置，所以你要想法让电路在不知道小数点的情况下仍然能够运算出你想要的结果。这里就要进行小数点对齐...[详细]

作为低功耗无线连接领域的创新性领导厂商，Silicon Labs（亦称“芯科科技”）将于8月27至29日携其最前沿的人工智能（AI）和物联网（IoT）解决方案在深圳举办的IOTE 2025国际物联网展中盛大展出。 这场亚洲极具影响力的物联网行业盛会，将汇聚全球数千家企业与数万专业观众，而芯科科技将通过展演AI/ML、蓝牙信道探测、Matter跨协议和网关技术、低功耗Wi-Fi和Wi-SUN网状网...[详细]

随着现代电子系统的功率密度持续提高，高效的热管理已成为确保系统性能、可靠性和使用寿命的关键因素 - 尤其是在工业驱动、汽车系统和供电等高功率应用领域。尽管通过PCB进行底部散热的方法已作为标准沿用多年，但顶部散热正逐渐成为一种更高效的替代方案。 本文将重点阐述顶部散热相较于传统PCB散热及双面散热方案所具有的核心优势。 传统底部散热 对于采用底部散热的MOSFET，半导体芯片产生的热量...[详细]

目前作为新能源的纯电车最让人困扰的除了续航焦虑，再就是充电时间太长的弊端了，目前，三元锂电池和磷酸铁锂电池是目前汽车使用最广泛的，不过，这两类电池很有可能被新成果取代。 近日，在海外媒体报道中，ZapGo公司推出了一种全新的碳离子电池，碳离子电池不仅拥有锂电池的性能，同时还可以实现真正意义上的实现5分钟可续航500公里的快速充电目标，可见最近一段时间来人气较高的氢燃料发展速度也要受影响了。 ...[详细]