IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | SUPER FAST RECOVERY |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 75 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
| 元件数量 | 2 |
| 端子数量 | 7 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 600 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 600 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 300 ns |
| VCEsat-Max | 3.7 V |
| CM75DU-24H | CM75DU-24H_09 | |
|---|---|---|
| 描述 | IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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